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DS1230W-150+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1230W-150	文件：214.24 Kbytes Page：11 Pages	3.3V256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas

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DS1230W-150+

文件：100 bytes

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包装：托盘封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1230W-150

文件：214.24 Kbytes

Page：11 Pages

3.3V256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

Dallas

产品属性

产品编号：
DS1230W-150+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
150ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DS1230W-150+供应商更新时间2024-5-15 16:33:00

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