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DO2302C	文件：1.74159 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A2SHB；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.74159 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2302F	文件：1.54741 Mbytes Page：3 Pages	丝印：A2SHB；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.54741 Mbytes 页数：3 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2305	文件：2.05186 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2305；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.05186 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2305SA	文件：1.21567 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2305S；Package：SOT-23-3；P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.21567 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2318	文件：1.2741 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D405；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.2741 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2301	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2301B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2301E-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO210	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：测试与计量设备 - 环境检测仪描述：COMPACT HANDHELD DISSOLVED OXYGE	FLIR Extech	FLIR Extech
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技术参数

Package：
SOT-23
ESD Diode：
N
VDS (V)：
-20
VGS ±(V)：
12
ID(A)：
-2.8
VGS(th) (min V)：
-0.4
VGS(th) (max V)：
-1
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
90
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
110
Qg (nC)：
5.5
Ciss(pF)：
589

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更多DO2供应商更新时间2025-9-26 16:25:00

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