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DO2318	文件：1.2741 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D405；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.2741 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO2318	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
NTE2318	文件：23.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch Description: The NTE2318 is a high–voltage, high–speed, switching NPN transistor with an internal damper diode in a TO218 type package. This device is specifically designed for use in large screen color deflection circuits. Features: ● Collector–Emitter Voltage: VCE = 1500V ● Collector–Emitter 文件：23.81 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
RF2318	文件：110.65 Kbytes Page：6 Pages	LINEAR BROADBAND AMPLIFIER Product Description The RF2318 is a broadband general purpose, low cost high linearity RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily cascadable 75Ω gain block. The gain flatne 文件：110.65 Kbytes 页数：6 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2318PCBA-L	文件：110.65 Kbytes Page：6 Pages	LINEAR BROADBAND AMPLIFIER Product Description The RF2318 is a broadband general purpose, low cost high linearity RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily cascadable 75Ω gain block. The gain flatne 文件：110.65 Kbytes 页数：6 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

技术参数

Package：
SOT-23
ESD Diode：
N
VDS (V)：
40
VGS ±(V)：
20
ID(A)：
5
VGS(th) (min V)：
1.2
VGS(th) (max V)：
2.5
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
33
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
45
Qg (nC)：
4.7
Ciss(pF)：
420

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