丝印：TH45M5LS；Package：PowerDI5060-8；40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features - Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments - 100 Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application - High Conversion Efficiency - Low RDS(ON) – Minimizes Power Losses - Wettable Flank for Improved Optica

文件：592.62 Kbytes 页数：8 Pages

DIODES

美台半导体

PowerDI5060-8

DIODES/美台

上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司

POWERDI506

DIODES/美台

上传：深圳市赛特兴科技有限公司

TO252

DIODES/美台

上传：深圳市恒佳微电子有限公司

TO-252-3

Diodes Incorporated

上传：深圳市芯通智达科技有限公司