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DMTH6010LPDQ	文件：538.8 Kbytes Page：9 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Engine Management Systems  Body Control Electronics  DC-DC Converters Features and Benefits  文件：538.8 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6010LPDQ	文件：371.77 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：371.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6010LPDQ_V01	文件：538.8 Kbytes Page：9 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Engine Management Systems  Body Control Electronics  DC-DC Converters Features and Benefits  文件：538.8 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6010LPDQ-13	文件：538.8 Kbytes Page：9 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Engine Management Systems  Body Control Electronics  DC-DC Converters Features and Benefits  文件：538.8 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6010LPDQ-13	文件：371.77 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：371.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6010LPDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – ensures more reliable and robust end application.\nHigh Conversion Efficiency\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
13.1 A
PD @ TA = +25°C：
2.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
40.2 nC
Packages：
PowerDI5060-8 (Type C)

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