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DMTH6009LPS	文件：473.64 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：473.64 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6009LPS-13	文件：473.64 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：473.64 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6009LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH6009LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175? N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
11.7 A
PD @ TA = +25°C：
2.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33.5 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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