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DMTH6005LPS	文件：577.81 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • High Frequency Switching • Sync. Rectification • DCDC Converters Features • 文件：577.81 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPS	文件：460.75 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：460.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPS-13	文件：577.81 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • High Frequency Switching • Sync. Rectification • DCDC Converters Features • 文件：577.81 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ	文件：341.21 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • High Frequency Switching • Sync. Rectification • DCDC Converters Features • Rated to +175C – Ideal 文件：341.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ-13	文件：341.21 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • High Frequency Switching • Sync. Rectification • DCDC Converters Features • Rated to +175C – Ideal 文件：341.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPS_18	文件：460.75 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：460.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPS-13	文件：460.75 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：460.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：473 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ_18	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：473 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6005LPSQ-13	文件：473 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：473 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH6005LPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
47.1 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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