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DMTH6004SCTB	文件：546.77 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：546.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SCTB	文件：298.89 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMTH6004SCTB-13	文件：546.77 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：546.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SCTBQ	文件：554.33 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.33 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SCTBQ-13	文件：554.33 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.33 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SCTB	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to 175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDSON – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH6004SCTBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101, supported by a PPAP. Rated to 175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH6004SCTBQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
95.4 nC
Packages：
TO263AB (D2PAK)

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