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DMTH6009LK3Q	文件：561.24 Kbytes Page：6 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.24 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6009LK3Q-13	文件：561.24 Kbytes Page：6 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.24 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6009LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\nLow RDS(ON) – Ensures On-State Losses Are Minimized\nExcellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC/DC Converters\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6009LK3	文件：554.58 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.58 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6009LK3	文件：505.53 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：505.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
14.2 A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33.5 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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