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DMTH6009LK3Q中文资料60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMTH6009LK3Q

功能描述

60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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DMTH6009LK3Q规格书详情

描述 Description

This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch.

特性 Features

Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments
Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses Are Minimized
Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)
Advanced Technology for DC/DC Converters
Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products

应用 Application

Power management functions
DC-DC Converters
Backlighting
Automotive

技术参数

  • 制造商编号

    :DMTH6009LK3Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :14.2 A

  • PD @ TA = +25°C

    :3.2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :10 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :12.8 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :15.6 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :33.5 nC

  • Packages

    :TO252 (DPAK)

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