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DMTH6004SPS	文件：491.42 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：491.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SPS-13	文件：491.42 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：491.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SPSQ	文件：486.97 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：486.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SPSQ-13	文件：486.97 Kbytes Page：7 Pages	60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：486.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6004SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDSON – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH6004SPSWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFE This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: DC motor controls, synchronous rectification, and DC-DC converters.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH6004SPSW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH6004SPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
95.4 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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