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DMN65D8L	文件：148.85 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：148.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8L	文件：378.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：378.72 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LDWQ	文件：532.78 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate, 1KV (HBM)  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Devi 文件：532.78 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LDWQ-7	文件：532.78 Kbytes Page：6 Pages	丝印：MM1；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate, 1KV (HBM)  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Devi 文件：532.78 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB	文件：1.02989 Mbytes Page：3 Pages	丝印：4S；Package：DFN1006-3L；60V N-Channel Mosfet With ESD Application © Direct logic evel interface: TTLICMOS Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers display. memories, transistors, tc. © Eatery operated systems © Soidstate relays 文件：1.02989 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN65D8LT	文件：601.62 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：601.62 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LT-13	文件：601.62 Kbytes Page：8 Pages	丝印：58D；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：601.62 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LT-7	文件：601.62 Kbytes Page：8 Pages	丝印：58D；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：601.62 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8L_15	文件：148.85 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：148.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8L_16	文件：378.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：378.72 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN65D8LQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.37 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.87 nC
Packages：
SOT23

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更多DMN65D8L供应商更新时间2025-11-24 18:56:00

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