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DMN65D8L-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:148.85 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8L-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:378.72 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LDW

Dual N-Channel MOSFET

文件:535.59 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LDW_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:535.59 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LDW-7

Dual N-Channel MOSFET

文件:535.59 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LFB

N-Channel MOSFET

文件:334.35 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LFB_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:334.35 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LFB-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:334.35 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LFB-7

N-Channel MOSFET

文件:334.35 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN65D8LFB-7B

N-Channel MOSFET

文件:334.35 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    DMN65D8LQ

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    60 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.3 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.37 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    3000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    N/A V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    0.87 nC

  • Packages:

    SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DIODES/美台原装特价DMN65D8L即刻询购立享优惠#长期有货
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