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DMN65D8LFB	文件：1.02989 Mbytes Page：3 Pages	丝印：4S；Package：DFN1006-3L；60V N-Channel Mosfet With ESD Application © Direct logic evel interface: TTLICMOS Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers display. memories, transistors, tc. © Eatery operated systems © Soidstate relays 文件：1.02989 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN65D8LFB	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB_15	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB-7	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB-7	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB-7B	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB-7B	文件：334.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：334.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN65D8LFB	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 60V P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.26 A
PD @ TA = +25°C：
0.43 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-DFN1006-3

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更多DMN65D8LFB供应商更新时间2025-12-12 10:04:00

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