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DMN53D0U-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:343.56 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN53D0U-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:343.56 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN55D0UT_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:152.86 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN55D0UT_16

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:445.15 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN55D0UT-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:152.86 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN55D0UTQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:152.86 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN5L06DMK

丝印:DAB;Package:SOT-26;DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:276.8 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

DMN5L06DMK_0709

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:276.8 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

DMN5L06DMK_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:276.8 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

DMN5L06DMK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:276.8 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    50 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.28 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.25 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    2000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    2500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT563

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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15+
SOT23
30000
原装现货价格有优势量大可以发货
询价
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13+
SOT-563
5276
原装分销
询价
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23+
SOT563
9000
原装正品,假一罚十
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25+
SOT563
3096
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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Diodes
24+
SOT-563
7500
询价
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17+
NA
6200
100%原装正品现货
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2016+
SOT363
6590
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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24+
SOT563
5000
全现原装公司现货
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DIODES
25+
2800
原装现货!可长期供货!
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24+
SOT
25000
一级专营品牌全新原装热卖
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更多DMN5供应商 更新时间2026-1-29 15:02:00