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DMN5	文件：174.57 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5010VAK-13	文件：490.01 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5010VAK-13A	文件：490.01 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5010VAK-7	文件：490.01 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5010VAK-7A	文件：490.01 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5040LSS	文件：409.38 Kbytes Page：7 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. MotorControl Backlighting PowerManagementFunctions DC-DCConvert	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN5040LSS-13	文件：409.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N5040LS；Package：SO-8；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. MotorControl Backlighting PowerManagementFunctions DC-DCConvert	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN52D0LT	文件：698.71 Kbytes Page：8 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveappl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN52D0LT-13	文件：698.71 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NLT；Package：SOT523；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveappl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN52D0LT-7	文件：698.71 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NLT；Package：SOT523；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveappl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN53D0LQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.5 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1600 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
4500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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