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DMN5L06DMK	文件：144.96 Kbytes Page：5 Pages	丝印：DAB；Package：SOT-26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device 文件：144.96 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK	文件：276.8 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DAB；Package：SOT-26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：276.8 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK-7	文件：144.96 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device 文件：144.96 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMKQ	文件：608.45 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • General Purpose Interfacing Switch • Power Management Functions Features • Low On-Resi 文件：608.45 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMKQ-7	文件：608.45 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • General Purpose Interfacing Switch • Power Management Functions Features • Low On-Resi 文件：608.45 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK_0709	文件：276.8 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：276.8 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK_15	文件：276.8 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：276.8 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK-7	文件：276.8 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：276.8 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06DMK	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN5L06DMKQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state\nresistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected up to 2kV;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN5L06DMKQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.305 A
PD @ TA = +25°C：
0.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DMN5L06DMK	DIODES	24+		30000		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	DMN5L06DMK	DIODES	25+23+	SOT23-6	12855	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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更多DMN5L06DMK供应商更新时间2025-12-14 16:30:00

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