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DMN31D5UDJ	文件：437.87 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (N 文件：437.87 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDJ-7	文件：437.87 Kbytes Page：6 Pages	丝印：U3；Package：SOT963；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (N 文件：437.87 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN31D5UFO	文件：449.22 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile  0.6mm  0.4mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications 文件：449.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZ	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	0.62mm x 0.62mm Package Footprint 文件：355.52 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：555.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.22 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
CISS Typ：
22.6 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.38 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
Packages：
SOT963

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更多DMN31D5UDJ供应商更新时间2025-10-11 10:31:00

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