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DMN31D5UFZQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.\n\n	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ-7B	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BP；Package：X2-DFN0606-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDA	文件：575.24 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDAQ	文件：416.32 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDJ	文件：349.98 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5L	文件：575.02 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDA	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDAQ	文件：325.06 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDJ	文件：437.87 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage1mmx1mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(N	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
N
N)：
Yes
(V)：
30 V
(±V)：
12 ±V
@TA = +25°C (A)：
0.41 A
PD @TA = +25°C (W)：
0.4 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
1500 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
2000 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)：
3000 mΩ
Max (V)：
1 V
= 4.5V (nC)：
0.38 nC
CISS Typ (pF)：
22.6 pF
(V)：
15 V
Packages：
X2-DFN0606-3

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