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DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ-7B	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	Marking：BP；Package：X2-DFN0606-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDA	文件：575.24 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDAQ	文件：416.32 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC31D5UDJ	文件：349.98 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5L	文件：575.02 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDA	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDAQ	文件：325.06 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage0.8mmx0.6mm •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDJ	文件：437.87 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed Ultra-SmallSurfaceMountPackage1mmx1mm ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(N	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFO	文件：449.22 Kbytes Page：7 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowPackageProfile 0.6mm0.4mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplications	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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