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DMN31D5UFO	文件：449.22 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile  0.6mm  0.4mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications 文件：449.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFO-7B	文件：449.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：DC；Package：X2-DFN0604-3；30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile  0.6mm  0.4mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications 文件：449.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFO	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low Package Profile\n•0.6mm  0.4mm Package Footprint\n•Low On-Resistance\n•Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•For automotive applications requiring specific c;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN31D5UFZ	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	0.62mm x 0.62mm Package Footprint 文件：355.52 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：555.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.41 A
PD @ TA = +25°C：
0.38 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.38 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0604-3

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