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DMN31D5UFZ	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	0.62mm x 0.62mm Package Footprint 文件：355.52 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：555.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ-7B	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BP；Package：X2-DFN0606-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：555.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZ_15	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：355.52 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZ-7B	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	0.62mm x 0.62mm Package Footprint 文件：355.52 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN31D5UFZQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.22 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.35 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0606-3

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