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DMG1012T	文件：146.53 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device (Note 3) • 文件：146.53 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012T-7	文件：146.53 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device (Note 3) • 文件：146.53 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UW	文件：158.2 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • ESD Protected Up To 2KV • Green Device (Note 2) • 文件：158.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UW-7	文件：158.2 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • ESD Protected Up To 2KV • Green Device (Note 2) • 文件：158.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UWQ	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMG1012UWQ is suitable fo 文件：530.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UWQ-13	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE2；Package：SOT323；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMG1012UWQ is suitable fo 文件：530.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UWQ-7	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE2；Package：SOT323；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMG1012UWQ is suitable fo 文件：530.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012T	文件：1.91523 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.91523 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DMG1012T_15	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：142.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012T-7	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：142.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

ID/A：
0.8
VDS/V：
20
RDS(on)/mΩ：
100
VGS/V：
8
VGS(th)/V：
0.5-1.0
N/P：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMG1012供应商更新时间2025-11-3 9:02:00

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