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DMG1012T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device (Note 3) •

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DIODES

美台半导体

DMG1012T

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.91523 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

DMG1012T-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected up to 2kV • Green Device (Note 3) •

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DIODES

美台半导体

DMG1012T_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:142.14 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG1012T-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:142.14 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG1012TQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:142.14 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMG1012T

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Techpublic

台舟电子

DMG1012T

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美台半导体

DMG1012TQ

mosfets

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    6 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.63 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.28 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    400 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    700 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.74 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT523

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美台
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SOT-523
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SOT523
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SOT523
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DIODES/美台
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DIODES/美台
23+
SOT-523
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更多DMG1012T供应商 更新时间2025-10-5 18:26:00