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DMG1012T
厂商型号

DMG1012T

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

146.53 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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DMG1012T规格书详情

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features

•Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)

• ESD Protected up to 2kV

• Green Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    DMG1012T

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
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