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厂商型号

DMG1012UW

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

158.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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更新时间

2025-11-2 17:22:00

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DMG1012UW规格书详情

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

特性 Features

•Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• ESD Protected Up To 2KV

• Green Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    DMG1012UW

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 功能描述:

    MOSFET N CH W ESD 20V 1A SOT323

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    1A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    20V; On Resistance

  • Rds(on):

    0.3ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    4.5V; Power Dissipation

  • Pd:

    290mW; No. of

  • Pins:

    3;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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