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CZT5551 BK PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT223	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551-C	文件：314.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •HighVoltageAmplifierApplication •HighVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551E	文件：152 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurre	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551HC	文件：127.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DMBT5551	文件：228.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5551	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
CZT5551 BK PBFREE
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CZT5551,HSM88WKTL,RL4007-T3,BFN22E-6327	进口品牌	23+	SMD	34787	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	CZT5551/CZT5551	CENTRAL	22+23+	Sot-223	30788	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	CZT55512.5K/R	长电	2206+	SOT-223	30084	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	CZT55512.5K/R	长电	2023+	SOT-223	700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
深圳市中联芯电子有限公司	CZT55512.5K/R	长电	24+	SOT-223	18000	原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳市芯连胜科技有限公司	CZT55512.5K/R	长晶	2023	SOT-223	22500		询价
深圳市博中泰实业有限公司	CZT55512.5K/R	长电	23+	SOT-223	10000	原装正品现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CZT555180-250	CJ/长电	23+	SOT223	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CZT555180-250	Cj江苏长电	2018	SOT223	50200	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CZT555180-250	CJ/长电	23+	NA/	53250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价

更多CZT5551 BK PBFREE供应商更新时间2024-9-24 17:11:00

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