DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

FEATURES:

• High Collector Breakdown Voltage 250V

• Low Leakage Current 50nA Max

• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA

• Complementary Device CZT5401E

• SOT-223 Surface Mount Package

APPLICATIONS:

• General purpose switching and amplification

• Telephone applications

CZT5551E属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。美国中央半导体制造生产的CZT5551E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。