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CZT5551HC	文件：127.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551HC_10	文件：533.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551HC_15	文件：533.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DMBT5551	文件：228.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5551	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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详细参数

型号：
CZT5551HC
制造商：
CENTRAL
制造商全称：
Central Semiconductor Corp
功能描述：
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR

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