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CSD95379Q3M数据手册集成电路(IC)的全半桥驱动器规格书PDF

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厂商型号

CSD95379Q3M

参数属性

CSD95379Q3M 封装/外壳为10-PowerVFDFN;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;CSD95379Q3M应用范围:同步降压转换器;产品描述:IC SYNC BUCK NEXFET 10VSON

功能描述

同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M

封装外壳

10-PowerVFDFN

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 9:11:00

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CSD95379Q3M规格书详情

描述 Description

CSD95379Q3M NexFET 功率级的设计经过高度优化,适用于高功率、高密度同步降压转换器。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows 8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130μA,并支持立即响应。 当 SKIP# 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 这个组合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

特性 Features

• 12A 电流下的系统效率达 92.5%
• 12A 电流时 1.8W 的超低功率损耗
• 最大额定持续电流为 20A,峰值电流为 45A
• 高频运行(高达 2MHz)
• 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
• 超低电感封装
• 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
• 低静态 (LQ) 和超低静态 (ULQ) 电流模式
• 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
• 无卤素

应用 Application

NVDC笔记本电脑/超极本PC
平板电脑
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD95379Q3M

  • 生产厂家

    :TI

  • Power loss (W)

    :1.8

  • Ploss current (A)

    :12

  • Configuration

    :PowerStage

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :20

  • Package (mm)

    :SON3x3 PowerStage

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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