CSD87381P中文资料采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD87381P规格书详情
描述 Description
此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。
特性 Features
• 半桥电源块
• 10A 电流下的系统效率达 90%
• 工作电流高达 15A
• 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
• 双侧冷却能力
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅
应用 Application
同步降压转换器高电流、低占空比应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD87381P
- 生产厂家
：TI
- VDS (V)
：30
- Power loss (W)
：1
- Ploss current (A)
：8
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
：15
- Operating temperature range (C)
：-55 to 150
- Features
：Power supply
- Duty cycle (%)
：Low
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
PTAB-5 |
22048 |
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TI |
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TI |
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PTAB5 |
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TI/德州仪器 |
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PTAB-5 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
PTAB-5 |
996880 |
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TI |
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PTAB-5 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
21+ |
PTAB-5 |
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TI |
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PTAB|5 |
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TI |
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