CSD87501L中文资料采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD87501L规格书详情
描述 Description
此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。
特性 Features
• 低导通电阻
• 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
• 超薄 – 高 0.2mm
• 无铅
• 符合 RoHS
• 无卤素
• 栅极 ESD 保护
应用 Application
电池管理
电池保护
USBC型/PD
技术参数
- 制造商编号
：CSD87501L
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：5.5
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：3.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：72
- QG typ (nC)
：15
- QGD typ (nC)
：6
- Package (mm)
：LGA 3.4x1.5mm
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：14
- ID - package limited (A)
：14
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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