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CSD87501L	文件：1.03668 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low on-resistance • Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm high • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection • USB Type-C / PD 3 Description This 30-V, 6.6-mΩ, 3. 文件：1.03668 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501L	文件：896.01 Kbytes Page：12 Pages	CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：896.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501L.B	文件：1.03668 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low on-resistance • Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm high • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection • USB Type-C / PD 3 Description This 30-V, 6.6-mΩ, 3. 文件：1.03668 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501LT	文件：1.03668 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low on-resistance • Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm high • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection • USB Type-C / PD 3 Description This 30-V, 6.6-mΩ, 3. 文件：1.03668 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501LT.B	文件：1.03668 Mbytes Page：13 Pages	丝印：CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low on-resistance • Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm high • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection • USB Type-C / PD 3 Description This 30-V, 6.6-mΩ, 3. 文件：1.03668 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501L_15	文件：896.01 Kbytes Page：12 Pages	CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：896.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501LT	文件：896.01 Kbytes Page：12 Pages	CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：896.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87501L	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组应用和小型手持设备。\n\n \n\n • 低导通电阻\n• 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸\n• 超薄 – 高 0.2mm\n• 无铅\n• 符合 RoHS\n• 无卤素\n• 栅极 ESD 保护;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Dual Common Drain
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
3.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
72
QG typ (nC)：
15
QGD typ (nC)：
6
Package (mm)：
LGA 3.4x1.5mm
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
14
ID - package limited (A)：
14
Logic level：
Yes

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更多CSD87501L供应商更新时间2025-10-4 14:06:00

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