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CSD88599Q5DC中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD88599Q5DC

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD88599Q5DC规格书详情

描述 Description

CSD88599Q5DC 60V 电源块是用于高电流电机控制应用的经优化设计,这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热 性能。

特性 Features

• 半桥电源块
• 高密度 5mm × 6mm SON 封装
• 低 RDS(ON),可实现最小的传导损耗
• 电流为 30A 时,PLoss 为 3.0W

• DualCool™热增强型封装
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD88599Q5DC

  • 生产厂家

    :TI

  • VDS (V)

    :60

  • Power loss (W)

    :3

  • Ploss current (A)

    :30

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :40

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 150

  • Features

    :Motor control

  • Duty cycle (%)

    :High

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