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CSD88599Q5DC

60-V Half-Bridge NexFET Power Block

文件:656.51 Kbytes 页数:23 Pages

TI

德州仪器

CSD88599Q5DCT

60-V Half-Bridge NexFET Power Block

文件:656.51 Kbytes 页数:23 Pages

TI

德州仪器

CSD88599Q5DC

采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

CSD88599Q5DC 60V 电源块是用于高电流电机控制应用的经优化设计,这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热 性能。 • 半桥电源块\n• 高密度 5mm × 6mm SON 封装\n• 低 RDS(ON),可实现最小的传导损耗 \n• 电流为 30A 时,PLoss 为 3.0W \n \n• DualCool™热增强型封装\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无铅引脚镀层;

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CSD95372AQ5M

TI
SON12

CSD95373AQ5M

TI
QFN

技术参数

  • VDS (V):

    60

  • Power loss (W):

    3

  • Ploss current (A):

    30

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A):

    40

  • Operating temperature range (C):

    -55 to 150

  • Features:

    Motor control

  • Duty cycle (%):

    High

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI/德州仪器
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VSON22
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更多CSD88599Q5DC供应商 更新时间2025-10-5 16:42:00