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CSD87503Q3E中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD87503Q3E规格书详情
描述 Description
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
特性 Features
• 双 N 沟道共源极 MOSFET
• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
• 低热阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD87503Q3E
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：21.9
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：89
- QG typ (nC)
：13.4
- QGD typ (nC)
：5.8
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：10
- ID - package limited (A)
：10
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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