CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1 Features 1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Thermal Resistance • Low Qg and Qgd • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • USB Type-C/PD VBus Protection • Battery Protection

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丝印：87503E；Package：VSON；30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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丝印：87503E；Package：VSON；CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1 Features 1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Thermal Resistance • Low Qg and Qgd • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • USB Type-C/PD VBus Protection • Battery Protection

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丝印：87503E；Package：VSON；CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1 Features 1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Thermal Resistance • Low Qg and Qgd • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • USB Type-C/PD VBus Protection • Battery Protection

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1 Features 1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Thermal Resistance • Low Qg and Qgd • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • USB Type-C/PD VBus Protection • Battery Protection

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1 Features 1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Thermal Resistance • Low Qg and Qgd • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • USB Type-C/PD VBus Protection • Battery Protection

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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。 • 双 N 沟道共源极 MOSFET\n• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化\n• 低热阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;

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