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CSD87502Q2规格书详情
描述 Description
CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。
特性 Features
• 低导通电阻
• 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
• 针对 5V 栅极驱动器而优化
• 雪崩级
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或USB输入保护
电池保护
技术参数
- 制造商编号
:CSD87502Q2
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Dual
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:42
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:32.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:23
- QG typ (nC)
:2.2
- QGD typ (nC)
:0.5
- Package (mm)
:SON2x2
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:5
- ID - package limited (A)
:5
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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WSON6 |
136 |
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