首页>CSD87502Q2>规格书详情
CSD87502Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD87502Q2规格书详情
描述 Description
CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。
特性 Features
• 低导通电阻
• 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
• 针对 5V 栅极驱动器而优化
• 雪崩级
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或USB输入保护
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD87502Q2
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：42
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：32.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：23
- QG typ (nC)
：2.2
- QGD typ (nC)
：0.5
- Package (mm)
：SON2x2
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：5
- ID - package limited (A)
：5
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
WSON6 |
3130 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
原装 |
25+ |
DFN2x2 |
20300 |
原装特价CSD87502Q2即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
TI |
17+ |
WSON6 |
136 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2450+ |
SMD |
9850 |
只做原装正品代理渠道!假一赔三! |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
WSON-FET-6 |
13650 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
WSON6 |
8678 |
原厂原装 |
询价 | ||
TI原厂原包 |
24+ |
WSON6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
TEXAS INSTRUMENTS |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TI |
25+ |
(DQK) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
