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CSD87502Q2数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD87502Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 12:26:00

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CSD87502Q2规格书详情

描述 Description

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。

特性 Features

• 低导通电阻
• 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
• 针对 5V 栅极驱动器而优化
• 雪崩级
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

应用 Application

用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或USB输入保护
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD87502Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Dual

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :42

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :32.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :23

  • QG typ (nC)

    :2.2

  • QGD typ (nC)

    :0.5

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :5

  • ID - package limited (A)

    :5

  • Logic level

    :Yes

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