丝印：8752；Package：WSON；CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1 Features 1• Low On-Resistance • Dual Independent MOSFETs • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Driver • Avalanche Rated • Pb and Halogen Free • RoHS Compliant 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Tele

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Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。 • 低导通电阻\n• 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装\n• 针对 5V 栅极驱动器而优化\n• 雪崩级\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;

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丝印：8752；Package：WSON；CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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