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CSD88537ND中文资料采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD88537ND规格书详情
描述 Description
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。 顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
应用 Application
用于电机控制的半桥
同步降压转换器
技术参数
- 制造商编号
：CSD88537ND
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：15
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：62
- QG typ (nC)
：14
- QGD typ (nC)
：2.3
- Package (mm)
：SO-8
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：16
- ID - package limited (A)
：15
- Logic level
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
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TI |
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SOP8 |
7000 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
SOIC8 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
SOIC8 |
2500 |
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