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CSD88537ND中文资料采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD88537ND

功能描述

采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD88537ND规格书详情

描述 Description

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。 顶视图要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素

应用 Application

用于电机控制的半桥
同步降压转换器

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD88537ND

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Dual

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :15

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :62

  • QG typ (nC)

    :14

  • QGD typ (nC)

    :2.3

  • Package (mm)

    :SO-8

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :16

  • ID - package limited (A)

    :15

  • Logic level

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
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