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采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 The CSD86330Q3D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high current, high efficiency, and high frequency capability in a small 3.3 mm × 3.3 mm outline. Optimized for 5 V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offerin • Half-Bridge Power Block\n• 90% System Efficiency at 15 A\n• Up to 20 A Operation\n• High Frequency Operation (Up To 1.5 MHz)\n• High Density – SON 3.3 mm × 3.3 mm Footprint\n• Optimized for 5 V Gate Drive\n• Low Switching Losses\n• Ultra Low Inductance Package\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free; | TI 德州仪器 | TI | ||
采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。 • 半桥电源块\n• 12A 电流下系统效率高达 93.0%\n• 工作电流高达 20A\n• 高频工作(高达 1.5MHz)\n• 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 开关损耗较低\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无铅引脚镀层; | TI 德州仪器 | TI | ||
采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 The CSD86350Q5D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high-current, high-efficiency, and high-frequency capability in a small 5-mm × 6-mm outline. Optimized for 5-V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a • Half-Bridge Power Block\n• Up to 40-A Operation\n• High-Density SON 5-mm × 6-mm Footprint\n• Low-Switching Losses\n• RoHS Compliant\n• Lead-Free Terminal Plating\n• Synchronous Buck Converters \n• High-Current, Low-Duty Cycle Applications\n• Multiphase Synchronous Buck Converters\n• IMVP, VRM, and; | TI 德州仪器 | TI | ||
包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS 描述:EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D | TI2 德州仪器 | TI2 | ||
包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS 描述:EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D | TI2 德州仪器 | TI2 |
技术参数
- Configuration:
Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
42
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
4.5
- QG typ (nC):
3.1
- QGD typ (nC):
0.33
- Package (mm):
WLP1.7x2.3
- VGS (V):
10
- VGSTH typ (V):
1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
4.5
- ID - package limited (A):
4.5
- Logic level:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
2016+ |
QFN8 |
26317 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TI |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
原厂原装 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
TI |
25+ |
LSON-8 |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
TI |
8SON |
26317 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
TEXAS |
24+ |
DFN |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
TI |
1706+ |
SON8 |
9100 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
TI |
23+ |
SON8 |
8600 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
TI |
23+ |
NA |
602 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
TI |
QFN |
6688 |
15 |
现货库存 |
询价 |
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