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CSD86330Q3D

采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

The CSD86330Q3D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high current, high efficiency, and high frequency capability in a small 3.3 mm × 3.3 mm outline. Optimized for 5 V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offerin • Half-Bridge Power Block\n• 90% System Efficiency at 15 A\n• Up to 20 A Operation\n• High Frequency Operation (Up To 1.5 MHz)\n• High Density – SON 3.3 mm × 3.3 mm Footprint\n• Optimized for 5 V Gate Drive\n• Low Switching Losses\n• Ultra Low Inductance Package\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free;

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德州仪器

CSD86336Q3D

采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。 • 半桥电源块\n• 12A 电流下系统效率高达 93.0%\n• 工作电流高达 20A\n• 高频工作(高达 1.5MHz)\n• 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 开关损耗较低\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无铅引脚镀层;

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德州仪器

CSD86350Q5D

采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

The CSD86350Q5D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high-current, high-efficiency, and high-frequency capability in a small 5-mm × 6-mm outline. Optimized for 5-V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a • Half-Bridge Power Block\n• Up to 40-A Operation\n• High-Density SON 5-mm × 6-mm Footprint\n• Low-Switching Losses\n• RoHS Compliant\n• Lead-Free Terminal Plating\n• Synchronous Buck Converters \n• High-Current, Low-Duty Cycle Applications\n• Multiphase Synchronous Buck Converters\n• IMVP, VRM, and;

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德州仪器

CSD86330EVM-717

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS 描述:EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D

TI2

德州仪器

CSD86350Q5DEVM-604

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS 描述:EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D

TI2

德州仪器

技术参数

  • Configuration:

    Dual Common Source

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    42

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    4.5

  • QG typ (nC):

    3.1

  • QGD typ (nC):

    0.33

  • Package (mm):

    WLP1.7x2.3

  • VGS (V):

    10

  • VGSTH typ (V):

    1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    4.5

  • ID - package limited (A):

    4.5

  • Logic level:

    Yes

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更多CSD863供应商 更新时间2025-10-5 8:31:00