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CSD86350Q5D	文件：1.26128 Mbytes Page：21 Pages	Synchronous Buck NexFET??Power Block	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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CSD86350Q5D_V01	文件：1.51152 Mbytes Page：24 Pages	CSD86350Q5D Synchronous Buck NexFET??Power Block	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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CSD863NPN	文件：718 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

详细参数

型号：
CSD863
功能描述：
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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