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CSD25483F4中文资料采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD25483F4

功能描述

采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD25483F4规格书详情

描述 Description

这款 210mΩ,20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 高运行漏极电流
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25483F4

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :245

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :390

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :1070

  • Id peak (Max) (A)

    :-6.5

  • Id max cont (A)

    :-1.6

  • QG typ (nC)

    :0.96

  • QGD typ (nC)

    :0.16

  • QGS typ (nC)

    :0.25

  • VGSTH typ (V)

    :-0.95

  • Package (mm)

    :LGA 1.0x0.6mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
24+
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