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CSD25481F4中文资料采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25481F4规格书详情
描述 Description
这款 90mΩ，20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 高运行漏极电流
• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1mm x 0.6mm
• 超薄
• 最大高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD25481F4
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-12
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：105
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：175
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：800
- Id peak (Max) (A)
：-10
- Id max cont (A)
：-2.5
- QG typ (nC)
：0.913
- QGD typ (nC)
：0.153
- QGS typ (nC)
：0.24
- VGSTH typ (V)
：-0.95
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
3-XFDFN |
28048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TI |
24+ |
PICOSTAR|3 |
798400 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
3-XFDFN |
3000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
PICOSTAR-3 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2409+ |
n/a |
1000 |
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询价 | ||
TI |
23+ |
3-XFDFN |
21000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI |
2025+ |
PicoStar-3 |
16000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
LGA |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
