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CSD25404Q3数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD25404Q3

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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CSD25404Q3规格书详情

描述 Description

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装,可提供出色的封装散热性能。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 低 RDS(on)
• 无卤素
• 符合 RoHS 标准
• 无铅引脚镀层
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用 Application

直流-直流转换器
电池管理
负载开关
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25404Q3

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :6.5

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :12.1

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :150

  • Id peak (Max) (A)

    :-240

  • Id max cont (A)

    :-18

  • QG typ (nC)

    :10.8

  • QGD typ (nC)

    :2.2

  • QGS typ (nC)

    :2.8

  • VGSTH typ (V)

    :-0.9

  • Package (mm)

    :SON 3x3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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