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CSD25404Q3中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25404Q3规格书详情
描述 Description
这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 符合 RoHS 标准
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用 Application
直流-直流转换器
电池管理
负载开关
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD25404Q3
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-12
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：6.5
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：12.1
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：150
- Id peak (Max) (A)
：-240
- Id max cont (A)
：-18
- QG typ (nC)
：10.8
- QGD typ (nC)
：2.2
- QGS typ (nC)
：2.8
- VGSTH typ (V)
：-0.9
- Package (mm)
：SON 3x3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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