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CSD25202W15中文资料采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25202W15规格书详情
描述 Description
这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
特性 Features
• 低电阻
• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
• 符合 RoHS 环保标准
• 栅 - 源电压钳位
应用 Application
电池管理
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD25202W15
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：26
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：32
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：52
- Id peak (Max) (A)
：-38
- Id max cont (A)
：-4
- QG typ (nC)
：5.8
- QGD typ (nC)
：0.8
- QGS typ (nC)
：1.1
- VGSTH typ (V)
：-0.75
- Package (mm)
：WLP 1.5x1.5
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