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CSD25480F3中文资料采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD25480F3

功能描述

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-16 10:09:00

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CSD25480F3规格书详情

描述 Description

这款 –20V、110mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.73mm x 0.64mm

• 薄型
• 最大高度为 0.35mm

• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25480F3

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :159

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :260

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :840

  • Id peak (Max) (A)

    :-10.4

  • Id max cont (A)

    :-1.7

  • QG typ (nC)

    :0.7

  • QGD typ (nC)

    :0.1

  • QGS typ (nC)

    :0.26

  • VGSTH typ (V)

    :-0.95

  • Package (mm)

    :LGA 0.7x0.6mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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