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CSD25480F3规格书详情
描述 Description
这款 –20V、110mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.73mm x 0.64mm
• 薄型
• 最大高度为 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
:CSD25480F3
- 生产厂家
:TI
- VGS (V)
:-12
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:159
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
:260
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
:840
- Id peak (Max) (A)
:-10.4
- Id max cont (A)
:-1.7
- QG typ (nC)
:0.7
- QGD typ (nC)
:0.1
- QGS typ (nC)
:0.26
- VGSTH typ (V)
:-0.95
- Package (mm)
:LGA 0.7x0.6mm
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
12250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
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TI |
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PICOSTAR-3 |
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TI |
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PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
PicoStar-3 |
50000 |
询价 | |||
TI |
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PICOSTAR|3 |
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TI/德州仪器 |
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IC |
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24+ |
PICOSTAR-3 |
18000 |
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TI |
24+ |
PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
PICOSTAR-3 |
860000 |
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