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CSD16301Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD16301Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-16 23:00:00

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CSD16301Q2规格书详情

描述 Description

This 25-V, 19-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The 2-mm × 2-mm SON package offers excellent thermal performance for the size of the package.

特性 Features

• Ultra-Low Qg and Qgd
• Lead-Free Terminal Plating
• Halogen Free
• APPLICATIONS
• Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD16301Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :29

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :20

  • QG typ (nC)

    :2

  • QGD typ (nC)

    :0.4

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :20

  • ID - package limited (A)

    :5

  • Logic level

    :Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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