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CGHV40050F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

CGHV40050F

参数属性

CGHV40050F 封装/外壳为440193;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET HEMT 50V 440193

功能描述

50-W; DC – 4.0-GHz; 50-V; GaN HEMT

封装外壳

440193

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:09:00

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CGHV40050F规格书详情

描述 Description

Up to 4 GHz Operation 77 W Typical Output Power 17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz 53 % Efficiency at PSAT 50 V Operation

特性 Features

• Up to 4 GHz Operation
•77 W Typical Output Power
•17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz
•Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz
•53 % Efficiency at PSAT
•50 V Operation

应用 Application

• Narrow Band UHF
•L and S-Band
•Multi-octave bandwidth amplifiers up to 4 GHz

技术参数

  • 制造商编号

    :CGHV40050F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :50 - 99 W

  • Frequency Range

    :General Purpose

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :DC

  • Frequency (Max)

    :4 GHz

  • Peak Output Power

    :50 W

  • Gain

    :16 dB

  • Efficiency

    :53%

  • Operating Voltage

    :50 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Flange

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