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CEP13N5A	文件：497.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：497.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP13N5A	文件：495.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：495.22 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
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