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CEP16N10	文件：539.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP16N10	文件：615.27 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP16N10L	文件：651.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP16N10L	文件：634.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10	文件：353.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10	文件：5.01082 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU16N10	文件：628.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU16N10L	文件：690 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10L	文件：5.01071 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
CEP16N10
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP16N10	CET	23+	TO-220	15000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEP16N10	CET	24+	TO-220	5000	只做原装公司现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CEP16N10	CET	20+	TO-220	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	CEP16N10	CET(华瑞)	2447	TO-220(TO-220-3)	105000	50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEP16N10	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP16N10	CET/華瑞	2022+	TO-220	2000	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEP16N10	CET/華瑞	23+	TO-220	81092	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEP16N10	CET	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEP16N10	CET	11+	TO-220	276	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEP16N10	CET/華瑞	24+	NA/	32500	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多CEP16N10供应商更新时间2025-7-20 15:35:00

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